Bi12SiO20晶体基片
Bi12SiO20晶体基片

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合肥科晶

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Bi12SiO20晶体基片

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中国大陆

  • 金牌
  • 第12年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数

 

产品名称:

 

硅酸铋(Bi12SiO20)晶体基片

产品简介:

硅酸铋(Bi12SiO20)晶体基片简称(BSO)是声表面波器件、体声波器件、全息记忆以及电光器件的极好材料.

 

技术参数:

晶向:<100>,<110>

晶体结构:立方

晶格常数:a=10.146?

生长方法:提拉法

熔点:930℃

密度:9.2g/cm3

莫氏硬度:4.5 Mohs

介电常数:εS11/ε0 42.7、εT11/ε0 47.5

弹性劲度系数( x1011N/m2):CE11 1.33、CE44 0.25

压电应变常数 (C/m2 ):e14  1.01

透过范围 (nm):470~7500

电光系数 (x10-12m/V ): r41 5

折射率: 2.45 @ 632.8nm

折射率梯度 (x10-5/cm ): ≤5 @ 632.8nm

旋光性 (mm-1 ): 左边20° @632.8nm

透光性 (%): 69 @632.8nm

 

产品规格:

常规晶向:<001>、<100>

晶向公差:±0.5°

常规尺寸:10x10x0.5mm;25x25x0.5mm;

          30x30x0.5mm;50x50x0.5mm;

抛光情况:细磨、双抛

 

注:可以根据客户要求提供特殊的尺寸及方向。

 

标准包装:

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

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