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半导体中失效分析检测产品配置单(X射线能谱仪)

  • 应用领域: 电子/电气/通讯/半导体
  • 检测样品: 半导体
  • 检测项目:失效分析
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  • 发布时间:2019-07-31
  • 参考标准:
纳米级电学性质表征是了解半导体器件性能和潜在失效机制的关键。原子力显微镜(AFM)是纳米级电学性质表征的一种广泛应用技术。
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纳米级电学性质表征

纳米级电学性质表征是了解半导体器件性能和潜在失效机制的关键。原子力显微镜(AFM)是纳米级电学性质表征的一种广泛应用技术。结合扫描微波阻抗显微镜(sMIM)、开尔文探针力显微镜(KPFM)和导电 AFM 等高级模式,AFM 可以表征半导体器件系统中的大多数材料特性,从简单的 I-V曲线到掺杂浓度图(低至 1014 个原子/立方厘米)等。结合上述多种高级模式, Cypher 和 MFP-3D AFM 可以充分认识和优化器件性能。

通常有必要将这些纳米级电学响应与电子显微镜成像关联起来。例如,在设备故障分析中,必须对缺陷位置定位,以便随后对其进行隔离和深入表征。OmniProbe 纳米机械手系列可以实现上述操作。在接触 10nm 特征时,可以执行电子束感生电流(EBIC)和电子束吸收电流(EBAC)等电性能成像技术。


故障隔离

一旦发现故障并在器件上找出故障位置后,有必要取下该结构在其他仪器上(如透射电子显微镜等)进行进一步分析或在相同仪器(聚焦离子束)上达到更好的运行条件。半导体行业需求下,工艺应具有可重复性,分析每个样品的典型时间小于 30 分钟。器件向 3 或 5 纳米制程靠近时任务难度将进一步提高,因为要求试样厚度小于 20nm。OmniProbe 400 是实现所有这些压电驱动运动的理想工具,可以实现 10nm 量级的可重复定位;通过同心旋转功能可以轻松获得高级的制备几何设置,从而获得更高质量的样品。

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