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高纯CeO2中Pr、Gd等14种痕量稀土杂质检测产品配置单(质谱部件)

  • 应用领域: 钢铁/金属
  • 检测样品: 有色金属
  • 检测项目:含量分析
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  • 发布时间:2017-09-06
  • 参考标准:--
摘要:研究了不经基体分离,膜去溶一ICP MS法直接测定高纯CeO2中14种痕量稀土杂质的分析方法,讨论了ce基体产生的多原子离子对被测元素的质谱干扰,并且对影响多原子离子产率的因素进行了分析,同时建立了Pr,Gd,rrb和Yb数学校正方程。通过使用膜去溶雾化器和优化ICP.MS参数,消除了Cel ,CeO2 和CeO2H 产生的质谱干扰,将CeO/Ce产率降为0.008% ,同时结合数学校正方程彻底消除了CeO ,CeOH 和CeOH2 的质谱干扰。Pr,Gd,,rb和Yb的方法测定下限分别为0.08,0.1,0.15和0.008 g·g~ ,l4种稀土杂质方法测定下限和为0.75 g·g一。99.999%高纯CeO2实际样品测定加标回收率为96% ~103% ,RSD为1.2% ~4.3% 。 关键词:高纯CeO ;膜去溶;数学校正;ICP.MS;多原子离子干扰;稀土
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