首页> 网络讲堂> 如何用等离子设备 实现碳化硅深孔刻蚀?快来围观!

如何用等离子设备 实现碳化硅深孔刻蚀?快来围观!

主讲人:黄承扬 牛津仪器科技(上海)有限公司 上传时间:2017/04/06 16:12
  • 观看:1826 次
  • 收藏:(3)
  • 评论:0人
支付看视频¥1.00元看视频
其他课程

课程详情

课程描述:

高功率密度的氮化镓,具有高工作电压,且能够在高频高带宽下大功率输出,将引领射频功率器件新发展。碳化硅衬底氮化镓是射频器件的“高端”版本,SiC衬底可提供最高功率级别的氮化镓产品,确保在最苛刻的环境下使用。近日,牛津仪器等离子技术推出了使用PlasmaPro 100 Polaris刻蚀系统对碳化硅进行深孔刻蚀的工艺。

本次会议将对此碳化硅深孔刻蚀技术做详细介绍。期待您的参与!

讲师简介:

黄承扬(Young Huang)博士在国立清华大学研究光电技术并取得博士学位。他于2011年起加入牛津仪器从事台湾地区的海外市场营销。黃博士在LED芯片和光学电子化工序领域拥有超过10年的经验。作为现场和实验室应用经理,他负责开发新的应用供需,确保现场客户在应用中获得满意的体验。

相关领域:

(其他)-(其他)

相关仪器:

(行业专用仪器)-(其它行业专用仪器/仪表)-(其它行业专用)

我来说两句

还可以输入500发表评论

推荐视频

大家都在看