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如何用等离子设备 实现碳化硅深孔刻蚀?快来围观!

2017/4/6 16:12:48

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如何用等离子设备 实现碳化硅深孔刻蚀?快来围观!

上传时间:2017/4/6 16:12:48来源:SH100233

高功率密度的氮化镓,具有高工作电压,且能够在高频高带宽下大功率输出,将引领射频功率器件新发展。碳化硅衬底氮化镓是射频器件的“高端”版本,SiC衬底可提供最高功率级别的氮化镓产品,确保在最苛刻的环境下使用。近日,牛津仪器等离子技术推出了使用PlasmaPro 100 Polaris刻蚀系统对碳化硅进行深孔刻蚀的工艺。 本次会议将对此碳化硅深孔刻蚀技术做详细介绍。期待您的参与!

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