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会议介绍

等离子刻蚀设备 实现碳化硅深孔刻蚀技术

时间:2017-04-06 14:00 | 人数上限:120   | 讲师:黄承扬  | 人气:2098

黄承扬(Young Huang)博士在国立清华大学研究光电技术并取得博士学位。他于2011年起加入牛津仪器从事台湾地区的海外市场营销。黃博士在LED芯片和光学电子化工序领域拥有超过10年的经验。作为现场和实验室应用经理,他负责开发新的应用供需,确保现场客户在应用中获得满意的体验。

内容简介

主题讲座

高功率密度的氮化镓,具有高工作电压,且能够在高频高带宽下大功率输出,将引领射频功率器件新发展。碳化硅衬底氮化镓是射频器件的“高端”版本,SiC衬底可提供最高功率级别的氮化镓产品,确保在最苛刻的环境下使用。近日,牛津仪器等离子技术推出了使用PlasmaPro 100 Polaris刻蚀系统对碳化硅进行深孔刻蚀的工艺。

本次会议将对此碳化硅深孔刻蚀技术做详细介绍。期待您的参与!

参会报名

开课时间:2017-04-06 14:00 (教室于 2017/4/6 13:30:00开放) 会议时长: 2小时
报名条件:只要您是仪器信息网注册用户均可参加!
环境配置:只要您有电脑、外加一个耳麦就能参加。(需要进行音频交流的用户需准备麦克)
人数限制:120
提问时间:您可在论坛的宣传贴中先行提问,截至时间为 2017-04-06
相关领域:其他-其他
相关仪器:行业专用仪器-其它行业专用仪器/仪表-其它行业专用

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参会说明

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用户报名参会后,若通过审核,两日内将会 收到1 封电子邮件通知函,请注意查收,并按提示进入会议室!(为了使您的报名申请顺利通过,请填写完整而正确的信息)

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