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Atonarp
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质谱分析仪
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亚洲
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3D NAND 工艺通过堆叠存储单元, 提供更高的比特密度, 上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪适用于先进半导体工艺（如沉积和蚀刻）所需的定量气体分析. 沉积应用中: 实时过程气体监控，以驱动自动化工具调整以实现过程控制, 沉积步骤之间的终点检测, 实现层的化学计量工程; 蚀刻应用中: 以 ppb 为单位测量的工艺气体和副产品, 启用端点腔室清洁.
3D NAND 工艺概述
工艺步骤
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| 堆叠沉积: 交替氧化物（蓝色）和氮化物（绿色）薄膜沉积（每个堆叠 >200 对）
| 通道蚀刻: 沉积硬掩模, 形成开口, 高纵横比通道贯穿所有层（每个晶片>1 万亿个孔）
| 阶梯蚀刻: 字线的接触焊盘是使用产生阶梯结构的受控蚀刻来创建的.
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ASTON 优势
| 均匀的厚度对电气性能至关重要. Aston™ 质谱分析仪可实现厚度控制, 层定义和化学计量工程.
| 高纵横比通道孔需要从上到下完整且均匀, 没有弯曲或扭曲. Aston™ 质谱能够在腔内测量蚀刻反应物.
| 蚀刻轮廓控制精度（埃）. 蚀刻深度能力（微米）.Aston™ 质谱仪通过动态测量化学物质来实现蚀刻
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工艺步骤
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| 狭缝蚀刻: 沉积硬掩模层, 形成硬开口图案, 蚀刻狭缝以分离通道孔列. 这将创建一个存储单元阵列.
| 字线沉积: 在一些 3D NAND 方案中, 去除氮化物层, 然后使用由内向外的原子层沉积工艺（紫色）创建钨字线.
| 晶圆上最终 3D NAND 结构的横截面
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ASTON优势
| Aston™ 质谱仪通过连续测量反应物来实现蚀刻的均匀性和精度.
| 去除氮化层并填充钨. Aston™ 质谱仪实现了分子水平的控制.
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来源: Lam Research: 3D NAND - Key Process Steps (2016) url: https://www.youtube.com/watch?v=hglK1cf3meM
Aston™ 质谱仪优势
ppb 级灵敏度的高速采样
非常适合高纵横比的 3D 结构
耐腐蚀性气体, 坚固紧凑
易于集成到工具平台中
沉积应用中: 实时过程气体监控，以驱动自动化工具调整以实现过程控制, 沉积步骤之间的终点检测, 实现层的化学计量工程
蚀刻应用中: 以 ppb 为单位测量的工艺气体和副产品, 启用端点腔室清洁
Atonarp Aston™ 质谱分析仪技术参数
类型 | Impact-300 | Impact-300DP | Plasma-200 | Plasma-200DP | Plasma-300 | Plasma-300DP |
型号 | AST3007 | AST3006 | AST3005 | AST3004 | AST3003 | AST3002 |
质量分离 | 四级杆 | |||||
真空系统 | 分子泵 | 分子泵 | 分子泵 | 分子泵 | 分子泵 | 分子泵 |
检测器 | FC /SEM | |||||
质量范围 | 2-285 | 2-220 | 2-285 | |||
分辨率 | 0.8±0.2 | |||||
检测限 | 0.1 PPM | |||||
工作温度 | 15-35“℃ | |||||
功率 | 350 W | |||||
重量 | 15 kg | |||||
尺寸 | 299 x 218 x 331 LxWxH(mm) | 400 x 240 x 325 LxWxH(mm) | ||||
若您需要进一步的了解 Atonarp Aston™ 在线质谱分析仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：
上海伯东: 罗先生
产品货期: 365天
整机质保期: 1年
培训服务: 提供付费培训
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