SilcoNert®2000(6,444,326和6,511,760)是非晶硅的化学保护屏障,其进一步官能化以提供可用的最惰性表面。通过应用化学气相沉积(CVD),SilcoNert®2000非常适用于硫化物,汞,氨或其他活性化合物的痕量级测试精度(<百万分之一)。
特色与优势
非视距工艺;所有孔和复杂的几何形状都能被涂层
消除吸附和再测试
获得更快的校准
对结果充满信心
SilcoNert® 2000 规格
薄膜材质:表面烃化的氢化非晶硅
镀膜工艺:热化学气相沉积法(非等离子法)
使用温度:450°C(惰性气体),400°C(氧化性气体)
基板要求:兼容性:不锈钢合金,陶瓷,玻璃,钛及大多数特殊金属
尺寸:不超过78英寸(198厘米)
形状:不限,可镀任何复杂三维结构
标准厚度:100 - 500 nm
疏水性(接触角):>= 65°
允许接触的pH值 :0 - 8
保修期: 1年
是否可延长保修期: 否
现场技术咨询: 有
免费培训: 0
免费仪器保养: 0
保内维修承诺: 0
报修承诺: 0
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