溅射离子枪,等离子体发生源
溅射离子枪,等离子体发生源

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特科特拉

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IonEtch Sputter Gun

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欧洲

  • 银牌
  • 第7年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
该产品已下架
核心参数

溅射离子枪主要用途:

  • 溅射清洗/表面科学中样品表面处理, MBE and HV 溅射过程

  • 离子辅助沉积

  • 离子束溅射镀膜

  • 反应离子刻蚀
    技术指标:

    离子能量25eV - 5keV
    总的离子束电流1mA (at 5kV with Argon)
    High Current Version: up to 4mA (at 5kV with Argon)
    电流密度120μA/cm2 at 100mm working distance
    离子束发散角Ion energy dependant (typically 15°)
    工作距离100 mm (typically)
    等离子体杯Alumina (superior than other dielectric materials due to highest yield of secondary electrons)
    气体进气口径CF-16 (1.33“OD)
    气体流速1 - 5 sccm (1,5 sccm typical, gas dependant)
    工作真空度10-6mbar - 10-3mbar (1x10-5mbar typical in chamber with 300l/s pimp). Low 10-6 mbar range possible - beam current then 140μA max.
    激发模式微波放电等离子体 (无灯丝)
    安装口径CF-35 (2.75“OD)
    枪直径34mm (真空端)
    泄露阀需要气体质量流量计


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