SSEC 3300系列晶圆湿法工艺设备
SSEC的3300系列单片式晶圆清洗和处理工艺设备所呈现的技术,不但可以达到你今天的生产目标,并且可以满足未来多年以后要求.
已经具有44年历史的SSEC公司已经成长为一个垂直整合技术的组织，可以满足你在单片晶圆湿法处理系统的各种需求。 系统是根据由内而外的标准设计的，现成的搁架功能。这样的集成技术方法能够使一个灵活的平台，可以准确的配置客户的需求。客户得益于最低的购置成本、最小的占地面积、最少的物料和资源使用。
SSEC公司的3300系统可以完全按照客户的工艺和生产要求配置，利用成熟的技术。无论你的工艺需要多步或带有湿晶片的传输串行工艺、还是并行工艺，SSEC都有完整的方案来满足你的需求。标准的系统可以提供1个到12个工艺站。
SSEC公司专注于湿法工艺设备开发，基于工艺研发实验室开发满足您湿法工艺方面所需系列工艺设备。包括SSEC公司3300系列机台用于清洗、刻蚀、剥离以及显影的工艺开发。
特点：
* 高良品率,具有领先技术的高性能的加工工艺能够与你一同成长.
* 高可靠性的系统,配置了常用的生产模块.
* 低购置成本,包括单位占地面积的最高产量.
* 所有系统符合SEMI S2-0706E安全标准,SEMI S8-0705E人体工程学标准,以及ETL和CE要求.
* 我们所有系统在数字化方面的支持和设计都向后兼容电子系统和软件.
铸造工艺腔室
性能优越并且多年无故障运行，所有 SSEC公司的旋转工艺腔室都是铸造的。最终的设备每一个腔室都是特别配置的，都会完成压力测试。标准配置用于水清洗、加热溶液、湿法刻蚀，并且提供惰性环境。
超净化工艺腔室
对于垂直叠加配置的清洗室可以是密封的或开放的 ，直接在ULPA过滤和空气离子发生器下面。所有腔室空气补充都是有电子监控的，并且可以由独立的工艺步骤控制。
湿法刻蚀工艺腔室
湿法刻蚀工艺腔室可以密封用于喷雾刻蚀和垂直叠加配置。敞开的刻蚀腔是直接配置在ULPA过滤和空气离子发生器下面用于关键的刻蚀应用。排气流量和腔室的温度有电子监控。所有带有SSEC的WaferChek系统配置的湿法刻蚀腔室均可用于原地的自适应工艺控制。
惰性气体溶液工艺腔室
对于加热溶液工艺，惰性环境腔室是完全密封的并且回填氮气。 氮气环境可以降低溶液的暴露并延长再循环溶液寿命，是为了最低的运行成本。
清洁工艺
99% 颗粒去除效率
无损伤清洁
SSEC清洁工艺设备配置提供了机械和化学清洁工具的选择以 达到最大的颗粒去除效率。机载的闭环体积化学混合允许根据清洗程序和限制条件编辑稀释化学溶液，达到有限的刻蚀要求。
这些系统符合半导体国际技术发展路线图的规定，达到清洁表面同时控制材料损失和表面损伤。
全面的清洁工具
SSEC技术已经是经过证明的, 有效的清洁工具：
* 高速喷射实时控制化学溶液液滴尺寸和速度，用于88、65和45nm沟槽和超微颗粒的清洁。
* 单面旋转PVA海绵刷，通过穿透刷子的化学试剂进行清洁， 并实时对整个晶圆表面通过嵌入式传感器上的反馈进行压力控制。标准的刷盘利用伺服驱动旋转装置，最高达1,000 RPM。
* 获得专利的，双面PVA海绵刷，通过穿透刷子的化学试剂分配进行清洁，刷子挤注压力可编程，RPM旋转控制用于三面清洁。
* 新型带有三角石英换能器的三音速单晶圆超声波清洗，每一个都具有能量反馈，用于高能量的可编辑的工作周期，以及用于无损清洗的短工作周期。
* 排除边缘接触主轴工具用于双面清洗。气密主轴工具用于单面清洗。
具有程序驱动化学混合液的先进的清洁
机载电脑编程使用点的化学混合，SSEC的3300工艺设备运用清洗方案的全部工艺控制进行最稀的溶液和最低的刻蚀率。这些系统频繁的使用比在制造商处预混合溶液得到更精确的稀释溶液， 无论是浓缩的或混合为百万分之几。
SSEC提供各种各样的闭环，根据应用选择的容积化学混合系统。1:1:100 溶液到浓缩溶液的混合,SC-1都可以提供标准系统，在线注入系统实时注入化学试剂流量可以最小到0.1ml的增量，都是标准的特氟隆可浸湿表面。
原位工艺后清洁
原位刻蚀后清洁实现了无化学交叉污染。SSEC在专利申请中的 “化学品收集环”在当不需要收集化学品用于再循环使用时是机械关闭密封的。再循环方案的完整性是为了保持最洁净的结果、最长的寿命、最低的成本。
刻蚀处理
统一的、选择性湿法刻蚀
SSEC的单片晶圆湿法刻蚀技术使统一的选择性刻蚀在多工艺等级上成为可能，没有交叉污染。刻蚀一致性优于通常的 1% 。无论是用于先进的封装或是BEO湿法刻蚀，SSEC的3300系统都将为你提供以最低生产成本实现最高良品率工艺。
当你需要在活跃面、背面、和/或斜面的区域刻蚀结构或薄膜时，对于你的工艺，SSEC的3300系统都有已经证明过的技术方案。计算机编程，程序驱动化学溶液流率、喷射压力、温度、和化学配方都是标准的。每一个腔体可以配置排水通道，这包括SSEC公司独有的原位化学收集环(专利申请中)，不需要特殊的旋转速度或排放。每一个工艺腔体可以配置多个排水路径,包括多个化学循环系统。
WaferChek原位自适应过程控制
SSEC公司的每一站都包含WaferChek 原位过程监视器，这个监视器结合了一个彩色CCD和软件，可以分析全彩色光谱来确保刻蚀条件对于每一个独立的晶圆都是重复的。无论是化学浓度、温度、晶圆来料特性有波动时，自适应过程控制保持了相同的输出。以实际的工艺数据为基础，确保你的晶圆被正确的刻蚀。
晶圆背面处理
SSEC单片式晶圆设备对晶圆单面处理时，可以对另一面进行防止溶液、蒸汽和化学接触的全面保护。应用包括活跃面湿法刻蚀、背面薄膜去除、斜面清洁和晶圆减薄。
单面气密封主轴工具是根据应用需要来配置的。对于背面和斜面清洁 ，专用尺寸的工具是用于没有有效区域接触而配置的。对于活跃表面的刻蚀和晶圆减薄，能够配置用于多种晶圆尺寸的气密封主轴工具以及晶圆尺寸软件选择，使用SSEC的视觉处理用于晶圆对正。
根据应用来配置用于晶圆背面处理的自动化方案。对于背面清洗，会配置活跃边缘抓紧装置。对于薄晶圆的减薄，利用带有特别的支撑配置真空传送装置。
剥离处理
干入/干出浸入和单晶圆溶液处理
SSEC独特的浸入和单晶圆喷射技术的结合使得设备更可靠，能经济的使用存储的溶液，符合SEMI安全规定，干入/干出溶液处理器。带有分开的管道系统用于浸入和喷射站，在工艺站之间溶液浸湿晶圆的传送，仅仅使用很少量的溶液就可以获得卓越的剥离和清洁工艺的结果。
最好的两种溶液技术的结合
满足安全和经济的溶液处理需要：
* 在氮气保护浸入模块儿中浸入溶液处理具有独立的晶圆时间控制；分开的溶液循环和温度控制。
* 单片晶圆溶液处理在氮气保护模块儿中具有可编辑的上面和下面的分配器；分开的溶液循环和温度控制。
* 单晶圆溶液分配，包括高压风扇和针嘴喷射、高速度喷射擦洗、尼龙毛刷擦洗、超声波擦洗、完整的可编辑的表面覆盖。
高压流量控制
超声波擦洗，完整的可编辑的表面覆盖。
* 机械手被设计用来传送溶液浸湿的晶圆，精密度传送装置用于湿的或干的晶圆。
* 单独的最终清洁系统，IPA冲洗DI冲洗的原位分离，干燥处理。
* 符合干入/干出的要求，符合 SEMI S2-0706E安全和CE规定。
镀层和生长加工
光刻集群应用-规格
使用标准的成型组件，SSEC配置的镀层和生长工艺设备来精确地满足你的工艺和生产需求。无论你需要的是单独地镀层工艺设备还是镀层和生长工艺设备一体，SSEC提供的机械手按照你程序定义的各种顺序来操作。
* 实时主轴马达控制，包括加速率和主轴速度用于均一的膜厚控制。
* 视觉系统用于清洁、非接触式晶圆对正。
* 电脑界面控制尺寸更改；不需要更换工具。
* 容积泵根据各工艺步骤包括喷淋、吸收和填装来控制马达的过速、加速和减速。
* 尖锐的易碎的EBR处理精密的机动的喷淋、高度和位置控制。
* 涂料器杯带有可编辑的气流控制和杯的EBR喷雾清洁。
单片晶圆生长加工
SSEC生长工艺设备能够根据你的光刻胶厚度和生产需求进行扩展，从单一模块儿到12个模块儿的系统。单晶圆加工温度一致性< 0.1 °C，单发分流和喷雾处理，这些系统将满足你的CD一致性需要。
要降低成本，必须发展化学再循环使用，SSEC公司的正在申请专利中的收集杯确保高纯度的再循环。研发者聚焦于体积稀释的使用方面，并具有流体反馈来保证适合的溶液。
