回复2001smile发表于：2017/6/7 15:16:08悬赏金额：
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【序号】：1
【作者】： 张绵 王云生
【题名】：半绝缘砷化镓中的低频振荡及其对FET噪声性能的影响
【期刊】：《功能材料与器件学报》【年、卷、期、起止页码】：2000年 第3期
【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/94788A/200003/4567073.html
【序号】：2
【作者】：华庆恒 刘春香
【题名】：半绝缘砷化镓材料质量与器件参数的某些相关性
【期刊】：《半导体杂志》 |
【年、卷、期、起止页码】：1991年 第3期
【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/92400X/199103/446103.html
【序号】：3
【作者】：| 王松柏【题名】：半绝缘砷化镓表面光伏谱的三区分析
【期刊】：《江西科学》
【年、卷、期、起止页码】：2005年 第5期 |
【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/91365X/200505/20531804.html
【序号】：4
【作者】：孙强 兰天平 周春锋【题名】：VCSEL阵列用半绝缘砷化镓单晶生长工艺研究
【期刊】：《天津科技》
【年、卷、期、起止页码】：2015年 第3期 |
【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/95370A/201503/664075288.html
【序号】：5
【作者】：郑红军 卜俊鹏
【题名】：砷化镓晶片表面损伤层分析
【期刊】：《稀有金属》
【年、卷、期、起止页码】：1999年 第4期
【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/93288X/199904/3535479.html
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