【序号】:1
【作者】:
杨艳 薛晨阳 张斌珍 张文栋【题名】:
用X双晶衍射法研究InGaAs/GaAs量子阱结构【期刊】:
《半导体技术》 |
【年、卷、期、起止页码】:
2006年 第2期【全文链接】:http://www.cqvip.com/QK/91661X/200602/21049119.html
【序号】:2
【作者】:屠海令
【题名】:硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究
【期刊】:《中国工程科学》|
【年、卷、期、起止页码】:2000年 第1期
【全文链接】:http://www.cqvip.com/QK/83379X/200001/4587749.html
【序号】:3
【作者】:介万奇 李宇杰
【题名】:Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的晶体缺陷及其控制
【期刊】:《功能材料》 |
【年、卷、期、起止页码】:2004年 第z1期
【全文链接】:http://www.cqvip.com/QK/92397A/2004z1/1000313360.html
【序号】:4
【作者】:
【题名】:
【期刊】:
【年、卷、期、起止页码】:
【全文链接】:
【序号】:5
【作者】:杨瑞霞
【题名】:未掺杂LECGaAs的补偿机理及相关缺陷
【期刊】:《电子与自动化仪表信息》 |
【年、卷、期、起止页码】:1991年 第5期
【全文链接】:http://www.cqvip.com/QK/95792X/199105/472614.html【序号】:5
【作者】:
孙聂枫 赵有文 孙同年【题名】:
InP中的深能级杂质与缺陷(续)【期刊】:
《微纳电子技术》 |
【年、卷、期、起止页码】:
2008年 第11期【全文链接】:http://www.cqvip.com/QK/92139A/200811/28754267.html